×

登录 是一种态度

logo
手机
访问
公众
账号
󰀳 返回
顶部

贸泽开售Infineon CoolGaN HEMT 支持紧凑型系统设计中的高效快速开关

核心提示: 与硅开关器件相比,贸泽电子供应的Infineon CoolGaN HEMT品质更为出众。相较于硅晶体管,CoolGaN HEMT的输出电容与栅极电荷只是其十分之一,但击穿场强却是其十倍,移动性能是其两倍。

半导体应用网消息,贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Infineon Technologies的CoolGaN™ 氮化镓 (GaN) HEMT。CoolGaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提供高效率和高功率密度,帮助实现半导体电源的快速开关。CoolGan HEMT同时适合硬开关和软开关拓扑,是无线充电、开关模式电源 (SMPS)、电信、超大规模数据中心和服务器等应用的理想选择。

 与硅开关器件相比,贸泽电子供应的Infineon CoolGaN HEMT品质更为出众。相较于硅晶体管,CoolGaN HEMT的输出电容与栅极电荷只是其十分之一,但击穿场强却是其十倍,移动性能是其两倍。CoolGaN HEMT经专门优化,可实现快速开通和关断,采用新拓扑和电流调制技术打造出了创新型开关解决方案。HEMT的表面贴装封装可保证开关功能完全可用,而其紧凑型设计使其适合各种空间受限的应用。

 Infineon CoolGaN氮化镓HEMT受EVAL_1EDF_G1_HB_GAN和EVAL_2500W_PFC_G评估平台的支持。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN电路板配备CoolGaN 600 V HEMT和Infineon GaN EiceDRIVER™ 栅极驱动IC,可帮助工程师评估转换器和逆变器应用的通用半桥拓扑的高频GaN功能。EVAL_2500W_PFC_G电路板内含CoolGaN 600V e-mode HEMT、CoolMOS™ C7 Gold超结MOSFET和EiceDRIVER栅极驱动IC,提供2.5 kW全桥功率因数校正 (PFC) 评估工具,对于SMPS和通信整流器之类对能耗比较看重的应用,可将其系统效率提升到99%以上。

0