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低电容瞬态抑制二极管阵列保护10GbE高速差分数据线免受放电和电涌事件的影响

核心提示:Littelfuse推出了低电容瞬态抑制二极管阵列,该产品经过优化设计,可用于保护高速差分数据线免受因静电放电、电缆放电、电气快速瞬变和雷击感应浪涌造成的损坏,通过维护信号完整性保持网络通信的可靠性。

半导体应用网消息,Littelfuse, Inc.近日宣布推出了低电容瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)。该产品经过优化设计,可用于保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏,通过维护信号完整性保持网络通信的可靠性。

SP3384NUTG瞬态抑制二极管阵列产品

SP3384NUTG系列可在高达15A (IEC 61000-4- 5第2版)和高达±30kV ESD (IEC 61000-4-2)的情况下为四个信道提供保护,并可提供紧凑型μDFN封装。 由于兼具低电容和低钳位电压,SP3384NUTG可针对2.5G/5G/10G以太网高速数据接口提供可靠的保护解决方案,同时避免信号衰减,提高各种应用的可靠性。

SP3384NUTG系列瞬态抑制二极管的典型市场和应用包括:

• 数据中心和电信 - 2.5G/5G/10G以太网、WAN/LAN设备、5G无线回程

• 工业 - LVDS接口、集成磁

• 消费电子产品 - 台式机、服务器和笔记本电脑

 “基于1GbE和5GbE应用中相似的封装尺寸,SP3384NUTG系列扩大了我们的产品组合,并满足了当今速度最快的10GbE消费以太网解决方案对超强ESD和浪涌保护的市场需求。”瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)业务开发总监Tim Micun表示。 “它还采用了数据中心、电信以及消费电子产品行业常见的紧凑配置封装。”

SP3384NUTG系列瞬态抑制二极管阵列具有下列主要优势:

• 低电容(每个I/O 0.5pF)和低箝位电压(4V@Ipp=1A),可维护信号完整性,将数据损失降至最低,同时使设备在面临电气威胁时更加稳定可靠。

• 紧凑型μDFN封装(3.0 x 2.0mm)专为保护高速差分数据线进行了优化。

• 在高达15A的电流条件下为两个差分数据线对(4个信道)提供保护。

• 超过针对ESD保护的最高IEC标准要求,确保产品可靠性。

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