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Littelfuse高功率瞬态抑制二极管保护电子产品免因瞬态电压而损坏

核心提示:Littelfuse推出采用DO-214AB封装的高浪涌瞬态抑制二极管8.0SMDJ系列产品,可保护灵敏的电子设备免因闪电和其他电压事件引起的瞬态电压而损坏。

半导体应用网9月25日消息,Littelfuse, Inc.推出采用DO-214AB封装的高浪涌瞬态抑制二极管产品系列。 8.0SMDJ系列经过优化,可保护灵敏的电子设备免因闪电和其他电压事件引起的瞬态电压而损坏。 由于在DO-214AB SMC封装中整合了高达8000W脉冲峰值功率耗损,8.0SMDJ系列可为电路设计师提供节省空间的高浪涌电路保护解决方案,从而简化印刷电路板设计并显著提升可靠性。

8.0SMDJ瞬态抑制二极管产品

“相比目前市面上的其他解决方案,新型单向和双向8.0SMDJ系列瞬态抑制二极管可以为小型DO-214AB SMC封装提供较高的浪涌保护性能。 它是DC12V、DC24V和DC48V应用的理想选择,既可单独使用,也可将两个串联使用。”Littelfuse功率瞬态抑制二极管全球产品经理Meng Wang表示。 “通过结合大功率瞬态抑制二极管和紧凑的封装,电路设计师可以节省宝贵的电路板空间,创造优化设计的机会,包括提高功率密度和生产效率。”

8.0SMDJ系列瞬态抑制二极管提供以下关键优势:

· 瞬态电压和浪涌雷电事件高功率保护以及卓越的箝位性能,以提高灵敏电子设备的可靠性。

· 高功率密度以及紧凑的小尺寸DO-214AB封装有助于快捷轻松地完成PCB布局和PCBA组装,同时节省宝贵的电路板空间。

· 采用相比MOV可提供更高可靠性、精确箝位和快速响应时间的一款解决方案来取代交流侧和直流侧MOV。

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