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意法半导体650V高频IGBT利用最新高速开关技术提升应用性能

核心提示:意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术,HB2系列IGBT提供三个内部二极管选项:全额定二极管、半额定二极管或防止意外反向偏置的保护二极管。

4月30日,意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术,可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。

新HB2系列属于STPOWER™产品家族,更低(1.55V)的 VCEsat 饱和电压确保导通性能极其出色;更低的栅极电荷使其能够在低栅极电流条件下快速开关,提高动态开关性能;出色的热性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度,同时新系列还是市场上极具竞争力的产品。

HB2系列IGBT提供三个内部二极管选项:全额定二极管、半额定二极管或防止意外反向偏置的保护二极管,从而为开发者提供更多的自由设计权,根据特定应用需求优化动态性能。

新650V器件的首款产品40A STGWA40HP65FB2现已上市,采用TO-247长引脚封装。

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